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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
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Darlington Leistungstransistor ON Semiconductor MJ11016G NPN Gehäuseart TO-3 I(C) 30 A Emitter-Sperrspannung U(CEO) 120 V

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 151307 - 62
Teile-Nr.: MJ11016G |  EAN: 2050000013713
Abbildung ähnlich
5,06 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Darlington Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
MJ11016G
Ausführung
NPN
Gehäuse
TO‑3
UCEO
120 V
IC
30 A
Ptot
200 W
Typ
MJ11016G
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Target 3001!

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Technische Daten

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