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Diode Taiwan Semiconductor ES1DL Gehäuseart SubSMA I(F) 1 A Sperrspannung U(R) 200 V

Taiwan Semiconductor
Bestell-Nr.: 162044 - 62
Teile-Nr.: ES1DL |  EAN: 2050001063335
Diode Taiwan Semiconductor ES1DL Gehäuseart SubSMA I(F) 1 A Sperrspannung U(R) 200 V
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Diode

Technische Daten

Typ
ES1DL
Gehäuse
SubSMA
IF (AV)
1 A
Montageart
Oberflächenmontage
Sperrstrom I(r)
5 µA
Herst.-Abk.
TSC
Sperrverzugszeit T(rr)
35 ns
IF
1 A
I
1 A
Kategorie
Superschnelle Si‑Gleichrichterdiode
U
200 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Typ
ES1DL
UF
0.95 V
Durchlassspannung Referenz
1 A
Sperrspannung U(R)
200 V
UR
200 V
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Sperrstrom I(r) - Referenz
200 V
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Ausführung
Superfast Rectifier

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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