JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT Infineon Technologies IRG4IBC30FD TO-220AB FULLPAK Einzeln Standard 600 V

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162975 - 62
Teile-Nr.: IRG4IBC30FD |  EAN: 2050000045240
Abbildung ähnlich

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

Technische Daten

Typ
IRG4IBC30FD
Gehäuse
TO‑220AB FULLPAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Kategorie
IGBT
Konfiguration
Einzeln
Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES)
600 V
IC
20.3 A
I(CM)
120 A
VCE Sättigung (max.)
1.8 V
Ptot
45 W
Eingangstyp
Standard
Einschaltverzögerungszeit t(d)(on)
42 ns
Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2)
230 ns
Kollektor Reststrom I(CES)
250 µA
Eingangskapazität
1100 pF
Q(G)
51 nC
Sperrverzugszeit T(rr)
42 ns
Montageart
Durchführungsloch

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
Transfer Resistor, Darlington-Transistor, Bipolartransistor, IGBT, npn, Transistor, pnp, IRG4IBC30FD, International Rectifier, tran-sistor, Germanium-transistor, isolated gate bipolar transistor, el transistor, bipolar-transisrtor, selen-Transistor, Infineon Technologies, silizium-transistor