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IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Infineon Technologies IRG4BC30F N-Kanal Gehäuseart TO-220 I(C) 17 A U(CES) 600 V

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162944 - 62
Teile-Nr.: IRG4BC30F |  EAN: 2050000045080
Abbildung ähnlich
1,36 €
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IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

Technische Daten

Typ
IRG4BC30F
Ausführung
N‑Kanal
IC
17 A
UCES
600 V
P
100 W
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Gehäuse
TO‑220
I (T=25 °C)
31 A
U max.
1.8 V

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Technische Daten

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