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IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Infineon Technologies IRG4BH20K-L N-Kanal Gehäuseart D2PAK I(C) 5 A U(CES) 1200 V

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162967 - 62
Teile-Nr.: IRG4BH20K-L |  EAN: 2050000045226
Abbildung ähnlich
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IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

Technische Daten

Typ
IRG4BH20K‑L
Ausführung
N‑Kanal
IC
5 A
UCES
1200 V
P
60 W
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Gehäuse
D2PAK
I (T=25 °C)
11 A
UCE
3.17 V

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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