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IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Infineon Technologies IRG4IBC30FD N-Kanal Gehäuseart TO-220 I(C) 11 A U(CES) 600 V

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162975 - 62
Teile-Nr.: IRG4IBC30FD |  EAN: 2050000045240
Abbildung ähnlich

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

Technische Daten

Typ
IRG4IBC30FD
Ausführung
N‑Kanal
IC
11 A
UCES
600 V
P
45 W
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Gehäuse
TO‑220
I (T=25 °C)
20.3 A
U max.
1.8 V

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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