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IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Infineon Technologies IRGP30B120KD-E N-Kanal Gehäuseart TO-247 I(C) 30 A U(CES) 1200 V

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 163042 - 62
Teile-Nr.: IRGP30B120KD-E |  EAN: 2050000045653
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IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

Technische Daten

Typ
IRGP30B120KD‑E
Ausführung
N‑Kanal
IC
30 A
UCES
1200 V
P
300 W
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Gehäuse
TO‑247
I (T=25 °C)
60 A
Target 3001!
UCE
2.28 V

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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