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IGBTs - Insulated Gate Bipolar Transistor Infineon Technologies IRG4RC20F N-Kanal Gehäuseart DPAK I(C) 12 A U(CES) 600 V

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 163038 - 62
Teile-Nr.: IRG4RC20F |  EAN: 2050000045622
IGBTs - Insulated Gate Bipolar Transistor Infineon Technologies IRG4RC20F N-Kanal Gehäuseart DPAK I(C) 12 A U(CES) 600 V
1,45 €
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IGBTs - Insulated Gate Bipolar Transistor

Technische Daten

Typ
IRG4RC20F
Ausführung
N‑Kanal
IC
12 A
UCES
600 V
P
66 W
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Gehäuse
DPAK
I (T=25 °C)
22 A
Target 3001!
U max.
2.1 V

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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