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Infineon Technologies IRF2807Z MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 164337 - 62
Hst.-Teile-Nr.: IRF2807Z |  EAN: 2050000052941
  • Abbildung ähnlich
  • Infineon Technologies IRF2807Z MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB

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  • Typ: IRF2807Z
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF2807Z
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
75 A
U
75 V
Ptot
170 W
RDS(on)
9.4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
53 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
3270 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
75 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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