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Infineon Technologies IRF7103PBF MOSFET 1 N-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Infineon Technologies IRF7103PBF MOSFET 1 N-Kanal 2 W SO-8 is rated 5.0 out of 5 by 1.
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Bestell-Nr.: 162431 - 62
Teile-Nr.: IRF7103PBF |  EAN: 2050000041228
  • Abbildung ähnlich
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  • Typ: IRF7103PBF
  • Gehäuse: SO-8
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7103PBF
Gehäuse
SO-8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
3 A
U
50 V
Ptot
2 W
RDS(on)
130 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
30 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
290 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
50 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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Date published: 2015-03-01
  • y_2018, m_9, d_20, h_14
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