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Infineon Technologies IRFS4410PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564090 - 62
Hst.-Teile-Nr.: IRFS4410PBF |  EAN: 2050003203777
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  • Infineon Technologies IRFS4410PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-263-3

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Ausverkauft
  • Typ: IRFS4410PBF
  • Gehäuse: TO-263-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFS4410PBF
Gehäuse
TO-263-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
U
100 V
Ptot
200 W
RDS(on)
10 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
58 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
150 µA
Q(G)
180 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
5150 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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