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Infineon Technologies IRL2505PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564181 - 62
Hst.-Teile-Nr.: IRL2505PBF |  EAN: 2050003204651
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  • Typ: IRL2505PBF
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRL2505PBF
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
U
55 V
Ptot
200 W
RDS(on)
8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
54 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
130 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
5000 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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