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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
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{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

Infineon Technologies IRLR024N MOSFET 1 N-Kanal 45 W DPAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162843 - 62
Hst.-Teile-Nr.: IRLR024N |  EAN: 2050000044519
  • Infineon Technologies IRLR024N MOSFET 1 N-Kanal 45 W DPAK
  • Infineon Technologies IRLR024N MOSFET 1 N-Kanal 45 W DPAK

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  • Typ: IRLR024N
  • Gehäuse: DPAK
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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HEXFET/FETKY

Technische Daten

Typ
IRLR024N
Gehäuse
DPAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
17 A
U
55 V
Ptot
45 W
RDS(on)
65 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
15 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
480 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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Technische Daten

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