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Infineon Technologies IRLR2908PBF MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564192 - 62
Hst.-Teile-Nr.: IRLR2908PBF |  EAN: 2050003204743
  • Abbildung ähnlich
  • Infineon Technologies IRLR2908PBF MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252-3

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  • Typ: IRLR2908PBF
  • Gehäuse: TO-252-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLR2908PBF
Gehäuse
TO-252-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
U
80 V
Ptot
120 W
RDS(on)
28 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
23 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1890 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
80 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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