JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET CREE C2M0080120D 1 N-Kanal 192 W TO-247

CREE
Bestell-Nr.: 557566 - 62
Teile-Nr.: C2M0080120D |  EAN: 2050003194884
Abbildung ähnlich
26,79 €
Sie sparen 1,92 €
24,87 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
C2M0080120D
Gehäuse
TO‑247
Hersteller
CREE
Herst.-Abk.
CRE
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
36 A
U
1200 V
Ptot
192 W
R(DS)(on)
98 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
20 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
5 mA
Q(G)
62 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
950 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
1000 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
C2M™
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Siliziumkarbid (SiC)
U(DSS)
1200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, C2M0080120D, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, C2M0080120D-ND, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, CREE, fieldeffect-transistor, mos-fet
Zubehör gleich mitbestellen