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MOSFET DIODES Incorporated 2N7002DW-7-F 2 N-Kanal 310 mW SOT-363

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 558301 - 62
Teile-Nr.: 2N7002DW-7-F |  EAN: 2050003195201
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
2N7002DW‑7‑F
Gehäuse
SOT‑363
Hersteller
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.
DIn
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
230 mA
U
60 V
Ptot
310 mW
R(DS)(on)
7.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
50 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
5 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
C(ISS)
50 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, 2N7002DW-FDICT-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, 2N7002DW-7-F, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, DIODES Incorporated, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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