JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153163 - 62
Teile-Nr.: BSP135H6327 |  EAN: 2050000021237
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4
0,91 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 24.08 bis 25.08.2017
  • Typ: BSP135H6327
  • Gehäuse: TO-261-4
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSP135H6327
Gehäuse
TO-261-4
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
120 mA
U
600 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
45 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
120 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
94 µA
Q(G)
4.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
146 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
SIPMOS®
Transistor-Merkmal
Deleption Mode
U(DSS)
600 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Ähnliche Produkte
Nach oben