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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153163 - 62
Teile-Nr.: BSP135H6327 |  EAN: 2050000021237
Abbildung ähnlich
0,91 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSP135H6327
Gehäuse
TO‑261‑4
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
120 mA
U
600 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
45 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
120 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
94 µA
Q(G)
4.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
146 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Deleption Mode
U(DSS)
600 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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