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MOSFET Infineon Technologies BSP295 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153231 - 62
Teile-Nr.: BSP295 |  EAN: 2050000021732
Abbildung ähnlich
0,52 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSP295
Gehäuse
TO‑261‑4
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
1.8 A
U
60 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
400 µA
Q(G)
17 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
368 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
SIPMOS®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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