JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BSP308 1 N-Kanal 1.8 W SOT-223

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152901 - 62
Teile-Nr.: BSP308 |  EAN: 2050000019289
Abbildung ähnlich
0,45 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 23.02 bis 24.02.2017 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 4 Stunden 14 Minuten

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSP308
Gehäuse
SOT‑223
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
4.7 A
U
30 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
75 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
500 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, verarmungstyp, metal oxide semiconductor, transistor à effet de champ, unipolar transistor, selbstleitend, BSP308, Junction fet, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, source, Infineon Technologies, drain, anreicherungstyp, FET, Feldeffekt-transistor, field-effect transistor, gate, selbstsperrend, unipolartransistor
Zubehör gleich mitbestellen