JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BSP308 1 N-Kanal 1.8 W SOT-223

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152901 - 62
Teile-Nr.: BSP308 |  EAN: 2050000019289
Abbildung ähnlich
0,45 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSP308
Gehäuse
SOT‑223
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
4.7 A
U
30 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
75 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
500 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, BSP308, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Zubehör gleich mitbestellen