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MOSFET Infineon Technologies BSP317 1 P-Kanal 1.8 W TO-261-4

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152940 - 62
Teile-Nr.: BSP317 |  EAN: 2050000019616
Abbildung ähnlich
MOSFET Infineon Technologies BSP317 1 P-Kanal 1.8 W TO-261-4
1,24 €
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Online verfügbar Lieferung: 24.05 bis 26.05.2017

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSP317
Gehäuse
TO-261-4
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P-Kanal
I(d)
430 mA
U
250 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
4 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
430 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
370 µA
Q(G)
15.1 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
262 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
250 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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