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MOSFET Infineon Technologies BSP613P 1 P-Kanal 1.8 W SOT-223

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153111 - 62
Teile-Nr.: BSP613P |  EAN: 2050000020872
Abbildung ähnlich
0,62 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSP613P
Gehäuse
SOT‑223
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
2.9 A
U
60 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
130 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
2.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
875 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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