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MOSFET Infineon Technologies BSS169 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152981 - 62
Teile-Nr.: BSS169 |  EAN: 2050000019968
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies BSS169 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3
0,36 €
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Ausverkauft
  • Typ: BSS169
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSS169
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
170 mA
U
100 V
Ptot
360 mW
R(DS)(on)
6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
170 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
50 µA
Q(G)
2.8 nC
Q(G) Referenz-Spannung
7 V
C(ISS)
68 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
SIPMOS®
Transistor-Merkmal
Deleption Mode
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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