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MOSFET Infineon Technologies BSS83P 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153047 - 62
Teile-Nr.: BSS83P |  EAN: 2050000020445
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  • MOSFET Infineon Technologies BSS83P 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3
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  • Typ: BSS83P
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: P-Kanal

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSS83P
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P-Kanal
I(d)
330 mA
U
60 V
Ptot
360 mW
R(DS)(on)
2 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
330 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
80 µA
Q(G)
3.57 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
78 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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