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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BUZ81 1 N-Kanal 125 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153623 - 62
Teile-Nr.: BUZ81 |  EAN: 2050000023798
Abbildung ähnlich
3,50 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
BUZ81
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
4 A
U
800 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
2.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
2.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
U(DSS)
800 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Beschreibung

N-Kanal-Anreicherungstyp.
Kunden suchen auch nach
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