JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF1010NS 1 N-Kanal 180 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162364 - 62
Teile-Nr.: IRF1010NS |  EAN: 2050000040634
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRF1010NS 1 N-Kanal 180 W TO-263-3
1,30 €
(Sie sparen 0,47 €)
0,83 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Menge in Stück Preis Ersparnis
Gesamt in €
1 0,83 € --
25 0,79 € 5% = 1,00 €
Online verfügbar Lieferung: 22.07 bis 24.07.2017
  • Typ: IRF1010NS
  • Gehäuse: TO-263-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF1010NS
Gehäuse
TO-263-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
85 A
U
55 V
Ptot
180 W
R(DS)(on)
11 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
43 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
120 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
3210 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Ähnliche Produkte