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MOSFET Infineon Technologies IRF1310NPBF 1 N-Kanal 160 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162368 - 62
Teile-Nr.: IRF1310NPBF |  EAN: 2050000040672
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  • MOSFET Infineon Technologies IRF1310NPBF 1 N-Kanal 160 W TO-220AB
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  • Typ: IRF1310NPBF
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET (HEXFET /FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF1310NPBF
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
42 A
U
100 V
Ptot
160 W
R(DS)(on)
36 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
22 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1900 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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