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MOSFET Infineon Technologies IRF3707S 1 N-Kanal 87 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162393 - 62
Teile-Nr.: IRF3707S |  EAN: 2050000040863
Abbildung ähnlich
MOSFET Infineon Technologies IRF3707S 1 N-Kanal 87 W D2PAK
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF3707S
Gehäuse
D2PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
62 A
U
30 V
Ptot
87 W
R(DS)(on)
12.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
15 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
19 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1990 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten