JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF3717PBF 1 N-Kanal 2.5 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 160881 - 62
Teile-Nr.: IRF3717PBF |  EAN: 2050001539946
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRF3717PBF 1 N-Kanal 2.5 W SO-8
0,69 €
(Sie sparen 0,25 €)
0,44 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 24.08 bis 25.08.2017
  • Typ: IRF3717PBF
  • Gehäuse: SO-8
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF3717PBF
Gehäuse
SO-8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
20 A
U
20 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
4.4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.45 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
2890 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Nach oben