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MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF 1 P-Kanal 200 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162406 - 62
Teile-Nr.: IRF5210PBF |  EAN: 2050000040986
Abbildung ähnlich
1,76 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Power MOSFET, P-Kanal

Technische Daten

Typ
IRF5210PBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
40 A
U
100 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
24 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
180 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
2700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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