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Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
130 W
R(DS)(on)
44 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
0,71 €
10
8% = 0,06 €
0,65 €
25
11% = 0,08 €
0,63 €
50
14% = 0,10 €
0,61 €
100
15% = 0,11 €
0,60 €
250
18% = 0,13 €
0,58 €
500
21% = 0,15 €
0,56 €
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Highlights & Details
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF540NPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
33 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
130 W
- R(DS)(on)
44 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
16 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
71 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
1960 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162412 Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162412 Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220
Beschreibung
Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.