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MOSFET Infineon Technologies IRF540NPBF 1 N-Kanal 130 W TO-220

Infineon Technologies
MOSFET Infineon Technologies IRF540NPBF 1 N-Kanal 130 W TO-220 is rated 4.0 out of 5 by 1.
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Bestell-Nr.: 162412 - 62
Teile-Nr.: IRF540NPBF |  EAN: 2050000041037
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRF540NPBF 1 N-Kanal 130 W TO-220
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  • Typ: IRF540NPBF
  • Gehäuse: TO-220
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET (HEXFET /FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF540NPBF
Gehäuse
TO-220
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
33 A
U
100 V
Ptot
130 W
R(DS)(on)
44 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
16 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
71 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1960 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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Rated 4 out of 5 by from Meine bewertung Ich bin zufrieden, alle Artikel mit technische datten. Snelle liverung. Ich bin mer als 10 Jahre bei konradelecktronig und bin ser zuvriden. Ich emfele allen konradelegtronnig.
Date published: 2014-10-29
  • y_2017, m_7, d_19, h_18
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