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MOSFET Infineon Technologies IRF610S 1 N-Kanal 3 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162415 - 62
Teile-Nr.: IRF610S |  EAN: 2050000041068
Abbildung ähnlich

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF610S
Gehäuse
D2PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3.3 A
U
200 V
Ptot
3 W
R(DS)(on)
1.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
8.2 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
140 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
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