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MOSFET Infineon Technologies IRF640NS 1 N-Kanal 150 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162425 - 62
Teile-Nr.: IRF640NS |  EAN: 2050000041167
Abbildung ähnlich
2,39 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF640NS
Gehäuse
TO‑263‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
18 A
U
200 V
Ptot
150 W
R(DS)(on)
150 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
11 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
67 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1160 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
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