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MOSFET Infineon Technologies IRF6614TR1PBF 1 N-Kanal 2.1 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161239 - 62
Teile-Nr.: IRF6614TR1PBF |  EAN: 2050001542731
Abbildung ähnlich
MOSFET Infineon Technologies IRF6614TR1PBF 1 N-Kanal 2.1 W DirectFET™
1,58 €
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Online verfügbar Lieferung: 03.05 bis 04.05.2017

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF6614TR1PBF
Gehäuse
DirectFET™
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
12.7 A
55 A
U
40 V
Ptot
2.1 W
R(DS)(on)
8.3 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
12.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.25 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
29 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
2560 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
20 V
Betriebstemperatur (min.)
-40 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
40 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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