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MOSFET Infineon Technologies IRF6716MTR1PBF 1 N-Kanal 3.6 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161259 - 62
Teile-Nr.: IRF6716MTR1PBF |  EAN: 2050001542922
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  • Typ: IRF6716MTR1PBF
  • Gehäuse: DirectFET™
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF6716MTR1PBF
Gehäuse
DirectFET™
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
39 A
180 A
U
25 V
Ptot
3.6 W
R(DS)(on)
1.6 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
40 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
100 µA
Q(G)
59 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
5150 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
13 V
Betriebstemperatur (min.)
-40 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
25 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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