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MOSFET Infineon Technologies IRF6727MTR1PBF 1 N-Kanal 2.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161271 - 62
Teile-Nr.: IRF6727MTR1PBF |  EAN: 2050001543028
Abbildung ähnlich

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF6727MTR1PBF
Gehäuse
DirectFET™
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
32 A
180 A
U
30 V
Ptot
2.8 W
R(DS)(on)
1.7 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
32 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
100 µA
Q(G)
74 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
6190 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑40 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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