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MOSFET Infineon Technologies IRF6797MTR1PBF 1 N-Kanal 2.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161278 - 62
Teile-Nr.: IRF6797MTR1PBF |  EAN: 2050001543080
Abbildung ähnlich

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF6797MTR1PBF
Gehäuse
DirectFET™
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
36 A
210 A
U
25 V
Ptot
2.8 W
R(DS)(on)
1.4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
38 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
150 µA
Q(G)
68 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
5790 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
13 V
Betriebstemperatur (min.)
‑40 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
25 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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