JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF6797MTR1PBF 1 N-Kanal 2.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161278 - 62
Teile-Nr.: IRF6797MTR1PBF |  EAN: 2050001543080
Abbildung ähnlich

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF6797MTR1PBF
Gehäuse
DirectFET™
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
36 A
210 A
U
25 V
Ptot
2.8 W
R(DS)(on)
1.4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
38 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
150 µA
Q(G)
68 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
5790 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
13 V
Betriebstemperatur (min.)
‑40 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
25 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, IRF6797MTR1PBF, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Zubehör gleich mitbestellen