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MOSFET Infineon Technologies IRF7103 HEXFET SO-8 1 N-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2017-01-19 T12:06:38.034-06:00
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Bestell-Nr.: 162431 - 62
Teile-Nr.: IRF7103PBF |  EAN: 2050000041228
Abbildung ähnlich
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7103 HEXFET SO‑8
Gehäuse
SO‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3 A
U
50 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
130 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
30 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
290 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
50 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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MOSFET, mos-fet, transistor à effet de champ, IRF7103 HEXFET SO-8, unipolar transistor, International Rectifier, Junction fet, source, drain, anreicherungstyp, Feldeffekt-transistor, field-effect transistor, selbstsperrend, unipolartransistor, IRF7103PBF-ND, transistor MOS, fieldeffect-transistor, verarmungstyp, metal oxide semiconductor, selbstleitend, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Infineon Technologies, FET, IRF7103PBF, gate
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