JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7311 1 N-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162451 - 62
Teile-Nr.: IRF7311 |  EAN: 2050000041396
Abbildung ähnlich
2,98 €
Sie sparen 0,30 €
2,68 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7311
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
6.6 A
U
20 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
27 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
900 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, IRF7311, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, IRF7311PBF-ND, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
Zubehör gleich mitbestellen