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MOSFET Infineon Technologies IRF7313 HEXFET SO-8 1 N-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162452 - 62
Teile-Nr.: IRF7313 |  EAN: 2050000041402
Abbildung ähnlich
0,67 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7313 HEXFET SO‑8
Gehäuse
SO‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
6.5 A
U
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
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