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MOSFET Infineon Technologies IRF7319 HEXFET SO-8 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2017-01-15 T10:35:43.031-06:00
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Bestell-Nr.: 162456 - 62
Teile-Nr.: IRF7319 |  EAN: 2050000041440
Abbildung ähnlich
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7319 HEXFET SO‑8
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
P‑Kanal
U
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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Rated 5 out of 5 by Guter Artikel Dieser MOS-FET zeichnet sich durch eine besonders geringe Gate-Source Spannung aus. Dadurch schaltet er schon bei sehr geringen Spannungen durch und eignet sich daher hervorragend als Teil einer aktiven Gleichrichtung. Ich bin sehr froh, dass ich diesen Transistor nun auch bei Conrad kaufen kann. 29. Juni 2014
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