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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7351PBF 1 N-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 160887 - 62
Teile-Nr.: IRF7351PBF |  EAN: 2050001540003
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  • MOSFET Infineon Technologies IRF7351PBF 1 N-Kanal 2 W SO-8
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  • Typ: IRF7351PBF
  • Gehäuse: SO-8
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF7351PBF
Gehäuse
SO-8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
8 A
U
60 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
17.8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
50 µA
Q(G)
36 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1330 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
30 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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