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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7402 1 N-Kanal 2.5 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162464 - 62
Teile-Nr.: IRF7402 |  EAN: 2050000041525
Abbildung ähnlich

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7402
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
6.8 A
U
20 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
35 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
22 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
IRF7402, transistor MOS, anreicherungstyp, IRF7402-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
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