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MOSFET Infineon Technologies IRF7478PBF 1 N-Kanal 2.5 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564001 - 62
Teile-Nr.: IRF7478PBF |  EAN: 2050003202916
Abbildung ähnlich
1,43 €
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRF7478PBF
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
7 A
U
60 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
26 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
31 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1740 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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