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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7607TRPBF 1 N-Kanal 1.8 W TSSOP-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564005 - 62
Teile-Nr.: IRF7607TRPBF |  EAN: 2050003202954
Abbildung ähnlich
0,67 €
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRF7607TRPBF
Gehäuse
TSSOP‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
6.5 A
U
20 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
30 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
22 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
1310 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
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