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MOSFET Infineon Technologies IRF8010PBF 1 N-Kanal 260 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564010 - 62
Teile-Nr.: IRF8010PBF |  EAN: 2050003203005
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MOSFET Infineon Technologies IRF8010PBF 1 N-Kanal 260 W TO-220AB
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Online verfügbar Lieferung: 30.05 bis 31.05.2017

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRF8010PBF
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
80 A
U
100 V
Ptot
260 W
R(DS)(on)
15 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
45 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
120 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
3830 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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