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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF8910PBF 2 N-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564013 - 62
Teile-Nr.: IRF8910PBF |  EAN: 2050003203036
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  • MOSFET Infineon Technologies IRF8910PBF 2 N-Kanal 2 W SOIC-8
1,36 €
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  • Typ: IRF8910PBF
  • Gehäuse: SOIC-8
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRF8910PBF
Gehäuse
SOIC-8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
10 A
U
20 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
13.4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.55 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
11 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
960 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

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