JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF9540NSPBF 1 P-Kanal 3.1 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564019 - 62
Teile-Nr.: IRF9540NSPBF |  EAN: 2050003203098
Abbildung ähnlich
2,75 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRF9540NSPBF
Gehäuse
TO‑263‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
23 A
U
100 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
117 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
14 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1450 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, IRF9540NSPBF-ND, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, IRF9540NSPBF, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
Zubehör gleich mitbestellen