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MOSFET Infineon Technologies IRF9953 1 P-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162545 - 62
Teile-Nr.: IRF9953 |  EAN: 2050000042058
Abbildung ähnlich
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF9953
Gehäuse
SO‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
2.3 A
U
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
250 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
12 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
190 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
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