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MOSFET Infineon Technologies IRFB3307ZPBF 1 N-Kanal 230 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 160927 - 62
Teile-Nr.: IRFB3307ZPBF |  EAN: 2050001540386
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  • Typ: IRFB3307ZPBF
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRFB3307ZPBF
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
120 A
U
75 V
Ptot
230 W
R(DS)(on)
5.8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
150 µA
Q(G)
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
4750 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
75 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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