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MOSFET Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB

Infineon Technologies
MOSFET Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB is rated 5.0 out of 5 by 1.
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Bestell-Nr.: 160932 - 62
Teile-Nr.: IRFB4110PBF |  EAN: 2050001540430
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  • MOSFET Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB
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Online verfügbar Lieferung: 29.05 bis 30.05.2018
  • Typ: IRFB4110PBF
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRFB4110PBF
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
120 A
U
100 V
Ptot
370 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
210 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
9620 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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Date published: 2014-01-27
  • y_2018, m_5, d_25, h_19
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