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MOSFET Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB

Infineon Technologies
MOSFET Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB is rated 5.0 out of 5 by 1.
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Bestell-Nr.: 160932 - 62
Teile-Nr.: IRFB4110PBF |  EAN: 2050001540430
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  • MOSFET Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB
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  • Typ: IRFB4110PBF
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRFB4110PBF
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
120 A
U
100 V
Ptot
370 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
210 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
9620 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Rated 5 out of 5 by from Kraftpaket unter kleiner Haube Diesen MOSFET habe ich gekauft, weil er vermehrt bei Hochstrom bzw. Hochleistungs-Schaltungen verwendet wird. Vorzüglich ist er z.B. in H-Brücken für motorisierte Eigenbauten geeignet bei denen schon mal dicke Motoren (über PWM/Treiber) zum laufen bringt. Auch für Versuche z.B. um mit dem Arduino usw... dicke Lasten zu betreiben, ist er perfekt. Dabei bleibt er aber bei der beliebten und gut handhabbaren Bauform, für die schnell und billig Kühlkörper erhältlich sind.
Date published: 2014-01-27
  • y_2017, m_7, d_27, h_17
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